高頻光電導少數(shù)載流子壽命測試儀現(xiàn)貨 高頻光電導少數(shù)載流子壽命測試儀現(xiàn)貨 庫號：M301889 查看hh 1、概述
LT-100C高頻光電導少數(shù)載流子壽命測試儀是參照半導體設(shè)備和材料組織SEMI標準（MF28-0707、MF1535-0707）及標準GB/T1553-1997設(shè)計制造。本設(shè)備采用高頻光電導衰減測量方法，適用于硅、鍺單晶的少數(shù)載流子壽命測量，由于對樣塊體形無嚴格要求，因此廣泛應(yīng)用于工廠的常規(guī)測量。壽命測量可靈敏地反映單晶體重金屬污染及缺陷存在的情況，是單晶質(zhì)量的重要檢測項目。
LT-100C型壽命儀是LT-1（基本型）的升級換代產(chǎn)品，在低阻硅單晶測量時，采用了全新理念，使信噪比提高了數(shù)十倍至數(shù)百倍，將硅單晶壽命測量下限從ρ＞3Ω·cm，延伸到ρ≥0.3Ω•cm，除能測量高阻單晶外亦可滿足太陽電池級硅片（裸片）的測試要求，儀器既可測量硅塊亦可測量硅片（硅片可放在托架上測量）。
該儀器為了能直接讀取壽命值編寫了特殊的軟件存入數(shù)字存儲示波器，這些軟件依照少子壽命測量的基本原理編寫，同時采用了標準（MF28及MF1535）中的幾種讀數(shù)方法。
該儀器擴大了晶體少子壽命可測范圍，除配置了波長為1.07μm的紅外發(fā)光管外，增加配備了波長為0.904～0.905μm光強更強的紅外激光器，減小了光源的余輝，使晶體（研磨面）可測電阻率低至0.3Ω·cm，壽命可測下限延至0.25μs。
LT-100C型壽命儀配有兩種光源電極臺，一種波長為1.07μm，適合于測量硅單晶塊或棒的體壽命；另一種波長為0.904～0.905μm，適合于測量切割或研磨硅片的相對壽命，與微波反射法測量條件相近，因此測量值也較接近。
2、參數(shù)
（1）儀器測量范圍：
少子壽命測量范圍：0.25μS～10ms；晶體樣品（研磨面）電阻率下限≥0.3Ω·cm，尚未發(fā)現(xiàn)電阻率測量上限。
型號：N型或P型單晶或鑄造多晶。
（2）光脈沖發(fā)生裝置
重復(fù)頻率＞15次/S 脈寬≥10μs
紅外光源長波長：1.06～1.08μm 脈沖電流：5A～16A
紅外光源短波長：0.904～0.905μm 脈沖電流：5A～16A
（3）高頻源
頻率：30MHZ 低輸出阻抗 輸出功率＞1W
（4）放大器和檢波器
頻率響應(yīng)：2HZ～2MHZ
放大倍數(shù)：30倍（約）
（5）儀器所配置的光源電極臺既可測縱向放置的單晶，亦可測量豎放單晶橫截面的壽命。配置增加了測量低阻樣片用的升降臺以及裝有特殊彈形電極的光源電極臺。
（6）讀數(shù)方式：可選配載流子壽命測試軟件系統(tǒng)或數(shù)字示波器讀數(shù)，軟件系統(tǒng)測試操作簡單，點擊“測量”即可，自動保存數(shù)據(jù)及相應(yīng)測試點衰減波形到數(shù)據(jù)庫，可進行查詢歷史數(shù)據(jù)和導出歷史數(shù)據(jù)等操作。
庫號：M301889 查看hh 1、概述
LT-100C高頻光電導少數(shù)載流子壽命測試儀是參照半導體設(shè)備和材料組織SEMI標準（MF28-0707、MF1535-0707）及標準GB/T1553-1997設(shè)計制造。本設(shè)備采用高頻光電導衰減測量方法，適用于硅、鍺單晶的少數(shù)載流子壽命測量，由于對樣塊體形無嚴格要求，因此廣泛應(yīng)用于工廠的常規(guī)測量。壽命測量可靈敏地反映單晶體重金屬污染及缺陷存在的情況，是單晶質(zhì)量的重要檢測項目。
LT-100C型壽命儀是LT-1（基本型）的升級換代產(chǎn)品，在低阻硅單晶測量時，采用了全新理念，使信噪比提高了數(shù)十倍至數(shù)百倍，將硅單晶壽命測量下限從ρ＞3Ω·cm，延伸到ρ≥0.3Ω•cm，除能測量高阻單晶外亦可滿足太陽電池級硅片（裸片）的測試要求，儀器既可測量硅塊亦可測量硅片（硅片可放在托架上測量）。
該儀器為了能直接讀取壽命值編寫了特殊的軟件存入數(shù)字存儲示波器，這些軟件依照少子壽命測量的基本原理編寫，同時采用了標準（MF28及MF1535）中的幾種讀數(shù)方法。
該儀器擴大了晶體少子壽命可測范圍，除配置了波長為1.07μm的紅外發(fā)光管外，增加配備了波長為0.904～0.905μm光強更強的紅外激光器，減小了光源的余輝，使晶體（研磨面）可測電阻率低至0.3Ω·cm，壽命可測下限延至0.25μs。
LT-100C型壽命儀配有兩種光源電極臺，一種波長為1.07μm，適合于測量硅單晶塊或棒的體壽命；另一種波長為0.904～0.905μm，適合于測量切割或研磨硅片的相對壽命，與微波反射法測量條件相近，因此測量值也較接近。
2、參數(shù)
（1）儀器測量范圍：
少子壽命測量范圍：0.25μS～10ms；晶體樣品（研磨面）電阻率下限≥0.3Ω·cm，尚未發(fā)現(xiàn)電阻率測量上限。
型號：N型或P型單晶或鑄造多晶。
（2）光脈沖發(fā)生裝置
重復(fù)頻率＞15次/S 脈寬≥10μs
紅外光源長波長：1.06～1.08μm 脈沖電流：5A～16A
紅外光源短波長：0.904～0.905μm 脈沖電流：5A～16A
（3）高頻源
頻率：30MHZ 低輸出阻抗 輸出功率＞1W
（4）放大器和檢波器
頻率響應(yīng)：2HZ～2MHZ
放大倍數(shù)：30倍（約）
（5）儀器所配置的光源電極臺既可測縱向放置的單晶，亦可測量豎放單晶橫截面的壽命。配置增加了測量低阻樣片用的升降臺以及裝有特殊彈形電極的光源電極臺。
（6）讀數(shù)方式：可選配載流子壽命測試軟件系統(tǒng)或數(shù)字示波器讀數(shù)，軟件系統(tǒng)測試操作簡單，點擊“測量”即可，自動保存數(shù)據(jù)及相應(yīng)測試點衰減波形到數(shù)據(jù)庫，可進行查詢歷史數(shù)據(jù)和導出歷史數(shù)據(jù)等操作。
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