導電微晶靜電場描繪儀 庫存 庫號：D332262 導電微晶靜電場描繪儀 庫存 庫號：D332262
GVZ-4型主要參數(shù)： 1. GVZ-4型為箱體和電源分離式，單筆測試,內(nèi)置四種電極（同心圓、平行導線、聚焦、劈尖形）。 2.規(guī)格為420mm*260mm,高100mm,K4-2導線。 3.同心圓和其他電極印有坐標格規(guī)格為1mm. 4.微晶導電層的均勻性，實驗值誤差為小于2%。 5.電源輸出范圍（直流）為7.00v—13.00V，分辨率為0.01V (配三位半數(shù)碼管)。 6.采用多圈電位器調(diào)節(jié)電壓，調(diào)節(jié)細度可達0.01V。 7.應承受250g正負50g的力摩擦2萬次，膜層電阻阻值變化0.3%，對導電微晶無磨損。 GVZ-4型主要參數(shù)： 1. GVZ-4型為箱體和電源分離式，單筆測試,內(nèi)置四種電極（同心圓、平行導線、聚焦、劈尖形）。 2.規(guī)格為420mm*260mm,高100mm,K4-2導線。 3.同心圓和其他電極印有坐標格規(guī)格為1mm. 4.微晶導電層的均勻性，實驗值誤差為小于2%。 5.電源輸出范圍（直流）為7.00v—13.00V，分辨率為0.01V (配三位半數(shù)碼管)。 6.采用多圈電位器調(diào)節(jié)電壓，調(diào)節(jié)細度可達0.01V。 7.應承受250g正負50g的力摩擦2萬次，膜層電阻阻值變化0.3%，對導電微晶無磨損。
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